Application Note 826
Vishay Siliconix
RECOMMENDED MINIMUM PADS FOR TSOP-6
0.099
(2.510)
0.039
(1.001)
0.020
(0.508)
0.019
(0.493)
Recommended Minimum Pads
Dimensions in Inches/(mm)
Return to Index
Return to Index
www.vishay.com
26
Document Number: 72610
Revision: 21-Jan-08
相关PDF资料
SI3981DV-T1-GE3 MOSFET P-CH DUAL 20V 6-TSOP
SI3983DV-T1-GE3 MOSFET P-CH DUAL 20V 6-TSOP
SI4056DY-T1-GE3 MOSFET N-CH 100V D-S 8SOIC
SI4100DY-T1-E3 MOSFET N-CH D-S 100V 8-SOIC
SI4104DY-T1-E3 MOSFET N-CH D-S 100V 8-SOIC
SI4108DY-T1-GE3 MOSFET N-CH 75V 20.5A 8-SOIC
SI4122DY-T1-GE3 MOSFET N-CH 40V 27.2A 8-SOIC
SI4126DY-T1-GE3 MOSFET N-CH 30V 39A 8-SOIC
相关代理商/技术参数
SI3915DV 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Dual P-Channel 12-V (D-S) MOSFET
SI3915DV-T1 功能描述:MOSFET 12V 2.5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI3915DV-T1-E3 功能描述:MOSFET 12V 2.5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI3932DV 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Dual N-Channel 30 V (D-S) MOSFET
SI3932DV-T1-GE3 功能描述:MOSFET 30V 3.7A DUAL N-CH MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
Si3935U 制造商:SILICON LABS ISOLATION 功能描述:
SI3948 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:Dual N-Channel Logic Level PowerTrench MOSFET
SI3948DV 功能描述:MOSFET 30V 2.5A DUAL N-CH TRENCH RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube